炭化ケイ素粉末の物理的特性には、高強度、耐摩耗性、耐食性、高熱伝導率、優れた電気絶縁性、幅広い熱衝撃性能が含まれます。これらの特性により、SIC 粉末は高温、高圧、高出力、強い放射線などの極限環境で広く使用できる理想的な材料となっています。炭化ケイ素粉末はセラミックス、半導体、新エネルギー等の分野を中心に幅広い用途に使用されております。セラミックスの分野では、炭化ケイ素粉末は、高温セラミックボウルやセラミックベアリングなどの高性能セラミック材料の調製に使用できます。半導体分野では、炭化ケイ素粉末は、以下のような半導体デバイスの調製に使用できます。新エネルギーの分野では、炭化ケイ素粉末は太陽電池の反射防止膜の製造に使用され、太陽エネルギーの変換効率を向上させることができます。
非研磨用炭化ケイ素SICパウダー仕様 | ||||
タイプ | 基準化学組成 (%) | サイズ(mm) | ||
SiC | FC | Fe2O3 | ||
TN98 | ≥98.00 | <1.00 | <0.50 | 50~0 |
TN97 | ≥97.00 | <1.50 | <0.80 | 13~0 |
TN95 | ≥95.00 | <2.50 | <1.00 | 10~0 |
TN90 | ≥90.00 | <3.00 | <2.50 | 5~0 |
TN88 | ≥88.00 | <3.50 | <3.00 | 0.5~0 |
TN85 | ≥85.00 | <5.00 | <3.50 | 100F |
TN60 | ≥60.00 | <12.00 | <3.50 | 200F |
TN50 | ≥50.00 | <15.00 | <3.50 | 325F |
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